晶圓制備包含了襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)，外延（epitaxy）是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過(guò)程，晶圓在未進(jìn)行外延工藝之前都僅僅屬于基材，無(wú)法直接進(jìn)行封裝等后續(xù)步驟。其中一項(xiàng)檢測(cè)外延厚度是否均勻的數(shù)據(jù)就是平面度，外延工藝會(huì)受到各種條件因素影響出現(xiàn)厚度不均的情況，如襯底溫度、反應(yīng)腔氣壓、反應(yīng)生長(zhǎng)物及晶圓片表面清洗過(guò)程。如果外延厚度不均位于晶圓片表面制作晶體管器件的有源區(qū)域，將導(dǎo)致器件失效，所以晶圓在通過(guò)外延工藝制備后建議使用激光平面度測(cè)量?jī)x對(duì)外延的厚度均勻性進(jìn)行檢測(cè)。

海科思平面度測(cè)量?jī)x配備精密花崗巖機(jī)座，開放式工作臺(tái)，方便取放工件，便于搭配自動(dòng)化上下料系統(tǒng)可以更有效率的完成晶圓的平面度測(cè)量，該款測(cè)量?jī)x可實(shí)現(xiàn)對(duì)平面的多點(diǎn)掃描或線掃描，一次性數(shù)據(jù)采集后通過(guò)軟件計(jì)算，實(shí)時(shí)給出平面度（平整度翹曲度）誤差測(cè)量判定，再一次提升晶圓平面度測(cè)量速度以及效率。激光平面度翹曲度測(cè)量?jī)x的測(cè)量精度非常高，測(cè)量范圍內(nèi)重復(fù)精度<5um，加上不受情緒以及怠工影響，該款測(cè)量設(shè)備稱得上是晶圓制備生產(chǎn)廠家的測(cè)量得力幫手。

?？扑?/span>有多款適用于晶圓外形尺寸測(cè)量的設(shè)備，無(wú)論是測(cè)量平面度、平整度、翹曲度等等都能信手拈來(lái)，如有需求歡迎致電海科思的全國(guó)服務(wù)熱線：400-0528-668