硅片翹曲度測(cè)量的重要性是因?yàn)榻?jīng)過(guò)一系列不太友好的摩擦之后，我國(guó)各企業(yè)都明白芯片以及各類(lèi)電子器件有多重要，只有自身?yè)碛邢嚓P(guān)工藝技術(shù)才能不被妨礙到自我發(fā)展。硅片作為道技術(shù)壁壘，現(xiàn)在的規(guī)模以及標(biāo)準(zhǔn)都是往日不可比的，但在擴(kuò)散、氧化一系列的高溫工藝之后，硅片的翹曲以及彎曲現(xiàn)象都會(huì)比較嚴(yán)重。這對(duì)光刻等后續(xù)工藝造成非常難操作的困境，器件成品率和性能會(huì)受到很大的影響。

硅晶體在710℃左右的半熔點(diǎn)以上就會(huì)產(chǎn)生塑性形變，硅片制作的一系列高溫工藝通常都在1200℃~1250℃的范圍之內(nèi)，升溫和降溫的過(guò)程中熱應(yīng)力或者其他機(jī)械應(yīng)力都會(huì)引起硅片翹曲、彎曲，所以硅片高溫工藝之后的翹曲度應(yīng)該怎么測(cè)量？

海科思的硅片翹曲度激光測(cè)量?jī)x測(cè)量精度達(dá)到了μm級(jí)，通過(guò)激光探頭的點(diǎn)掃描模式或者線(xiàn)掃描模式進(jìn)行硅片翹曲度的快速無(wú)損測(cè)量，起到快速、高精度還不損傷硅片的作用。平面度翹曲度測(cè)量?jī)x具有開(kāi)放式工作臺(tái)設(shè)計(jì)，方便取放硅片，也方便搭配自動(dòng)化上下料系統(tǒng)。操作方便簡(jiǎn)單，不需要的培訓(xùn)就能輕松上手，大大降低了眾硅片企業(yè)的人工成本。

海科思激光翹曲度測(cè)量?jī)x可根據(jù)被測(cè)物體大小定制各種尺寸，歡迎致電?？扑挤?wù)熱線(xiàn)咨詢(xún)：400-0528-668