芯片基材晶圓硅片應(yīng)該如何測量?平面度以及厚度皆有方案|??扑甲詣踊?/h1>
晶圓、硅片作為芯片的基材一直都廣受關(guān)注,自5G時代開始以來研發(fā)芯片都是我國的重點之一,晶圓需求也同步上漲更是成為了緊俏品,這與晶圓高精度外觀要求息息相關(guān)。晶圓制備方法是硅錠切割再加工,切割技術(shù)、設(shè)備磨損、硅錠材料等因素都會影響切割后的晶圓外觀尺寸,加上晶圓表面光潔度的嚴(yán)格要求,到底什么設(shè)備才能適用于晶圓的平面度、厚度、外觀尺寸的測量呢?

晶圓切割時切割線的緊力與切割角度等各項環(huán)境因素都會致使晶圓平面度不足,晶圓片的平面度不均就會影響光刻膠各面積的受熱程度,終會導(dǎo)致晶圓蝕刻CDuniformity均勻度不足。??扑?/font>激光平面度測量儀通過高精度激光對晶圓表面進(jìn)行線掃描或者點掃描,然后再一次性數(shù)據(jù)采集后通過的平整度軟件計算,可以在屏幕上直接看到晶圓的平整度、平面度、翹曲度等誤差測量判定數(shù)據(jù),并給出OK/NG的結(jié)果,省去了大量的人工成本以及計算時間。
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晶圓經(jīng)過蝕刻、打磨后都需要高精度測量厚度,晶圓厚度符合與否影響著后續(xù)的運輸、封裝等工序,晶圓太厚會致使劃片刀快速磨損、厚度太薄會使晶圓在移動和制備的過程中發(fā)生崩角、斷裂,加上散熱、電阻率等因素致使晶圓厚度嚴(yán)格遵守設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。上下激光厚度測量儀采用上下兩套進(jìn)口激光測量系統(tǒng),非接觸式測量方法,防止刮傷產(chǎn)品,可單點測量,也可以多點測量,并通過測量軟件保存測量數(shù)據(jù),可以設(shè)定產(chǎn)品的公差,不合格產(chǎn)品顯示出來快速完成晶圓厚度測量。

海科思有多套適用于半導(dǎo)體行業(yè)的測量設(shè)備,如有需求歡迎致電??扑?/span>全國服務(wù)熱線:400-0528-668
晶圓、硅片作為芯片的基材一直都廣受關(guān)注,自5G時代開始以來研發(fā)芯片都是我國的重點之一,晶圓需求也同步上漲更是成為了緊俏品,這與晶圓高精度外觀要求息息相關(guān)。晶圓制備方法是硅錠切割再加工,切割技術(shù)、設(shè)備磨損、硅錠材料等因素都會影響切割后的晶圓外觀尺寸,加上晶圓表面光潔度的嚴(yán)格要求,到底什么設(shè)備才能適用于晶圓的平面度、厚度、外觀尺寸的測量呢?
晶圓切割時切割線的緊力與切割角度等各項環(huán)境因素都會致使晶圓平面度不足,晶圓片的平面度不均就會影響光刻膠各面積的受熱程度,終會導(dǎo)致晶圓蝕刻CDuniformity均勻度不足。??扑?/font>激光平面度測量儀通過高精度激光對晶圓表面進(jìn)行線掃描或者點掃描,然后再一次性數(shù)據(jù)采集后通過的平整度軟件計算,可以在屏幕上直接看到晶圓的平整度、平面度、翹曲度等誤差測量判定數(shù)據(jù),并給出OK/NG的結(jié)果,省去了大量的人工成本以及計算時間。
晶圓經(jīng)過蝕刻、打磨后都需要高精度測量厚度,晶圓厚度符合與否影響著后續(xù)的運輸、封裝等工序,晶圓太厚會致使劃片刀快速磨損、厚度太薄會使晶圓在移動和制備的過程中發(fā)生崩角、斷裂,加上散熱、電阻率等因素致使晶圓厚度嚴(yán)格遵守設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。上下激光厚度測量儀采用上下兩套進(jìn)口激光測量系統(tǒng),非接觸式測量方法,防止刮傷產(chǎn)品,可單點測量,也可以多點測量,并通過測量軟件保存測量數(shù)據(jù),可以設(shè)定產(chǎn)品的公差,不合格產(chǎn)品顯示出來快速完成晶圓厚度測量。
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